English
简体中文
繁體中文
한국어
回路設計の道しるべ
デバイス
技術トレンド
ウェビナー
動画
技術資料ダウンロード
English
简体中文
繁體中文
한국어
デバイスを学ぶ
TOP
デバイスを学ぶ
トランジスタ／ダイオード
トランジスタ／ダイオード
トランジスタ
ダイオード
半導体基礎
トランジスタ
Siパワーデバイスの基礎
トランジスタとは－分類と特徴
MOSFETとは－寄生容量とその温度特性
MOSFETとは－スイッチング特性とその温度特性
MOSFETとは－ゲートしきい値電圧、ID-VGS特性と温度特性
MOSFETとは－スーパージャンクションMOSFET
MOSFETとは－高耐圧スーパージャンクションMOSFETの種類と特徴
MOSFETとは－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™
MOSFETとIGBT両方の利点を備えたHybrid MOS
MOSFETの仕様に関する用語集
MOSFETの熱抵抗と許容損失：裏面放熱が可能なパッケージ
実動作におけるトランジスタの適性確認とは
実動作における適性確認と準備
絶対最大定格内であることの確認
SOA（安全動作領域）内であることの確認
実使用温度でディレーティングしたSOA内であることの確認
平均消費電力が定格電力内であることの確認
チップ温度の確認
実動作におけるトランジスタの適性確認 ーまとめー
Siパワーデバイスの基礎 －まとめ－
ダブルパルス試験とは
ダブルパルス試験によるリカバリ特性評価
セルフターンオン発生のメカニズム
ダブルパルス試験によるMOSFETのリカバリ特性評価 ーまとめー
プラスαの基礎知識
トランジスタ
アウトライン
トランジスタを理解する
デジタルトランジスタとは
デジタルトランジスタの選定
オン抵抗
ゲート総電荷量（Qg）
素子印加電力の計算方法
素子温度の計算方法
ロードスイッチ
位相シフトフルブリッジ回路の電力変換効率向上
PSFB回路の基本構成
PSFB回路の基本動作
軽負荷時におけるスイッチング素子の動作に関する注意点
重負荷時におけるスイッチング素子の動作に関する注意点
効率の評価
位相シフトフルブリッジ回路の電力変換効率向上 ーまとめー
MOSFETの破壊メカニズム
SOA（Safety Operation Area）破壊とは
アバランシェ破壊とは
dV/dt破壊とは
MOSFETの破壊メカニズム ーまとめー
インバータ回路におけるスイッチング素子の逆回復特性の重要性 －はじめに－
インバータ回路の種類と通電方式について
三相変調インバータ回路の基本動作
ダブルパルス試験によるPrestoMOS™と通常のSJ MOSFETの損失比較（実測定結果）
三相インバータ回路によるPrestoMOS™と通常のSJ MOSFETの効率比較（シミュレーション）
インバータ回路におけるスイッチング素子の逆回復特性の重要性 －まとめ－
LLCコンバータにおける一次側スイッチング素子のリカバリー特性の重要性
LLCコンバータの基本構成
LLCコンバータの動作の特徴
LLCコンバータの基本動作
LLCコンバータの共振外れに対するMOSFETのリカバリー特性の重要性
LLCコンバータにおける一次側スイッチング素子のリカバリー特性の重要性 ーまとめー
ダイオード
Si ダイオードとは
ダイオードの種類と特性－静特性・動特性・電流・電圧・逆回復時間
整流ダイオードの比較－整流・スイッチング・SBD・FRDの特性・用途・選び方
ダイオードとは－ショットキーバリアダイオードの特徴
FRD(ファストリカバリダイオード)の特徴｜ダイオードとは
Si-ダイオード向け小型・高放熱パッケージ「PMDE」の評価
PMDEパッケージの外形および内部構造
PMDEパッケージの放熱性能（シミュレーション）
PMDEパッケージの実機評価
PMDEパッケージSBD製品ラインアップ
Si-ダイオード向け小型・高放熱パッケージ「PMDE」の評価 ーまとめー
プラスαの基礎知識
ダイオード
アウトライン
整流ダイオード
スイッチングダイオード
ショットキーバリアダイオード
ツェナーダイオード（定電圧ダイオード）
TVSダイオード
高周波ダイオード（PINダイオード）
半導体基礎
Siパワーデバイスのよくあるご質問
ロームでは、技術者向けのセミナーを定期的に開催しています。ご興味をお持ちの方はぜひご参加ください。
ウェビナー一覧を見る
TOP
デバイスを学ぶ
トランジスタ／ダイオード
回路設計の道しるべ
回路設計の道しるべ
